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有机半导体集成电路新突破

  当前有机半导体的电路图形建模方法有影印覆盖法,喷墨印刷法,但这些建模方法都不适合在高度集成的大尺寸基板上使用。而以光刻为基础的建模能很好地解决这个问题,但光刻技术以往也只能应用在以硅半导体为材料的电路建模上。当采用有机半导体材料时,需要配合标准的光致抗蚀技术(光刻技术),而光致抗蚀技术的溶剂在处理有机半导体材料时却会将其溶解,导致图形建模失败。

  我们万和兴人一直苦于找不到合适的解决方案。时刻关注国内外相关技术的研究和实验。终于在2013年10月15日,我们找到了新的研究报告,并且证实了信息的真实性和准确性。下面我来给大家介绍一下这项新的技术:

  2013年9月由富士公司(Fujifilm)和IMEC公司共同开发出了一项新的光刻技术。这种新的光刻技术能在大尺寸的基板上进行亚微米级图案建模,同时不会破坏有机半导体材料。这项新的光致抗蚀剂技术通过使用富士公司的有机合成化学材料制造技术,由富士和IMEC两家公司共同实现熔融半导体的处理过程。

  由此,我们传统的I-line 光刻技术设备就可以继续使用了,对于新设备的投资就可以暂时节省下来了。真是一个好消息啊!新的技术致力于以原来的设备来生产新的高分辨率的有机半导体元器件,以此来提高生产效益。

  为了验证这项技术,富士和IMEC应用该项新的光刻技术开发出了有机光探测器(OPD)和有机发光二极管(OLED),并测试他们的实验表现。有机半导体材料通过与精细的光接收元件组合来建模制造OPD,由此实现了200 m x 200 m的集成密度。通常来讲,使用有机半导体材料的建模方式会降低光转化成电的特性,但是在这次验证当中开发出来的OPD并没有产生光电转化特性退化的现象。可见以这种新技术进行图形建模,其性能并没有减弱!实验结果真是令人兴奋!

  今后,对于生产OLED阵列,采用这项新的光刻淅沥的方法,发光均匀的20m间距的OLED阵列就可以顺利实现了。

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